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[30P]mos结构图/《mos结构图》/具有局域空穴槽结构的soi

推荐:mos结构栅氧界面电荷 来源: 原创整理 时间2019-07-22 阅读 6603

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专题正文:mos是什么意思以金属-氧化物-半导体(MOS)场效应晶体管为主要元件构成的集成电路 。简称MOSIC 。1964年研究出绝缘栅场效应晶体管。直到1968年解决了MOS器件的稳定性,MOSIC得到迅速发展。与双极型集N沟MOS管的构造及功能?MOS依照其“通道”的极性不同,可分为'N"沟与‘p“沟的MOSFET, 结构 如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底(图la),在其面上扩散了两个N型区(图l为了提高MOS管的电气特性,尤其是耐压和耐电流能力,功率MOSFET大都采用垂直2.功率MOSFET的结构和工作原理 功率MOSFET的种类:按导电沟道可分为P沟道

(一)n沟道增强型mos管的 结构 和

具有局域空穴槽结构的soi

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这三个概念有点搞不清楚,尤其是mos电容和MOSFET有什么关系fet场效应管 mos是金属—氧化物—半导体 mosfet是金属—氧化物—半导体场效应管 mos结构就是采用金属—氧化物—半导体场效应管构成的 mos电容是通过一定接法把mos管用作电容。主要是在集成金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路MOS管的特性、工作原理,与真空电子管类似:栅极没有电流,即没有输入电流,具有高输入阻抗;漏极电流由栅极电压控制,是电压控制器件…… 半导体三极管是两个P-N结组成,由基极电流来控制集电极电流,是一个

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以金属-氧化物-半导体(MOS)场效应晶体管为主要元件构成的集成电路 。简称MOSIC 。1964年研究出绝缘栅场效应晶体管。直到1968年解决了MOS器件的稳定性,MOSIC得到迅速发展。与双极型集为了提高MOS管的电气特性,尤其是耐压和耐电流能力,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET(Vertical MOSFET),其具体工作原理为(参见下图): 截止:漏源极间加正电源

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【本文完】

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